SVF2N60CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N60CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SVF2N60CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60CM даташит

 ..1. Size:360K  silan
svf2n60cn svf2n60cm svf2n60cf.pdfpdf_icon

SVF2N60CM

SVF2N60CN/M/F 2A 600V N 2 SVF2N60CN/M/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3

 7.1. Size:692K  silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdfpdf_icon

SVF2N60CM

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 7.2. Size:362K  silan
svf2n60nf svf2n60f.pdfpdf_icon

SVF2N60CM

Другие IGBT... SVF1N60N, SVF1N60B, SVF1N60D, SVF20N60F, SVF20N60PN, SVF23N50PN, SVF2N60CN, SVF2N60CNF, IRF530, SVF2N60CMJ, SVF2N60CF, SVF2N60CD, SVF2N60MJ, SVF2N60N, SVF2N60NF, SVF2N60RD, SVF2N60RM