SVF2N60MJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N60MJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO251J

Аналог (замена) для SVF2N60MJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60MJ даташит

 ..1. Size:692K  silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdfpdf_icon

SVF2N60MJ

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 ..3. Size:519K  silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdfpdf_icon

SVF2N60MJ

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2 SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 1 3 TO-252-2L power MOS field effect transistor which is produced using Silan 1 proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 3 1 process and cell structure have been especially tailored to minimize 2 3 1.Gate 2.Dra

 6.1. Size:682K  silan
svf2n60m-f-t-d.pdfpdf_icon

SVF2N60MJ

SVF2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s

Другие IGBT... SVF20N60PN, SVF23N50PN, SVF2N60CN, SVF2N60CNF, SVF2N60CM, SVF2N60CMJ, SVF2N60CF, SVF2N60CD, STP80NF70, SVF2N60N, SVF2N60NF, SVF2N60RD, SVF2N60RM, SVF2N60RMJ, SVF2N65N, SVF2N65MJ, SVF2N65D