SVF2N70D - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SVF2N70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 22.27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF2N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A 650V N 2 SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251-3L 1 1 3 2

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

9.2. Size:362K silan
svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

9.3. Size:614K silan
svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3