TSM3N80CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM3N80CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSM3N80CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3N80CZ даташит

 ..1. Size:514K  taiwansemi
 tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CZ

TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:518K  taiwansemi
 tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CZ

TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Другие IGBT... TSM35N03CP, TSM35N03PQ56, TSM35N10CP, TSM3900DCX6, TSM3911DCX6, TSM3N80CH, TSM3N80CI, TSM3N80CP, 13N50, TSM3N90CH, TSM3N90CI, TSM3N90CP, TSM3N90CZ, TSM40N03PQ33, TSM40N03PQ56, TSM414K34CS, TSM4392CS