Справочник MOSFET. TSM3N80CZ

 

TSM3N80CZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM3N80CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TSM3N80CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3N80CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  taiwansemi
 tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CZ

TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:518K  taiwansemi
 tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CZ

TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Другие MOSFET... TSM35N03CP , TSM35N03PQ56 , TSM35N10CP , TSM3900DCX6 , TSM3911DCX6 , TSM3N80CH , TSM3N80CI , TSM3N80CP , TK10A60D , TSM3N90CH , TSM3N90CI , TSM3N90CP , TSM3N90CZ , TSM40N03PQ33 , TSM40N03PQ56 , TSM414K34CS , TSM4392CS .

History: MMBFJ309 | TPB70R950C | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | RS1G120MN | NTMFS4939NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.