Справочник MOSFET. TSM3N90CP

 

TSM3N90CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM3N90CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 55 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для TSM3N90CP

 

 

TSM3N90CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  taiwansemi
tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf

TSM3N90CP TSM3N90CP

TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:514K  taiwansemi
tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf

TSM3N90CP TSM3N90CP

TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top