TSM40N03PQ56 - аналоги и даташиты транзистора

 

TSM40N03PQ56 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TSM40N03PQ56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN56
 

 Аналог (замена) для TSM40N03PQ56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM40N03PQ56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  taiwansemi
 tsm40n03pq56.pdf pdf_icon

TSM40N03PQ56

TSM40N03PQ56 30V N-Channel Power MOSFET PDFN56 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.5 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.8 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

 4.1. Size:102K  taiwansemi
 tsm40n03pq33.pdf pdf_icon

TSM40N03PQ56

TSM40N03PQ33 30V N-Channel Power MOSFET PDFN33 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.6 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.9 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

Другие MOSFET... TSM3N80CI , TSM3N80CP , TSM3N80CZ , TSM3N90CH , TSM3N90CI , TSM3N90CP , TSM3N90CZ , TSM40N03PQ33 , IRLZ44N , TSM414K34CS , TSM4392CS , TSM4404CS , TSM4410CS , TSM4410DCS , TSM4415CS , TSM4416DCS , TSM4424CS .

History: AOI4N60 | 2SK2832-01 | SVS60R360FJDE3 | IXFH30N50Q3 | AP9926GEO | RU30S5H

 

 
Back to Top

 


 
.