Справочник MOSFET. TSM5ND50CP

 

TSM5ND50CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM5ND50CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для TSM5ND50CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM5ND50CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  taiwansemi
 tsm5nd50ch tsm5nd50cp.pdf pdf_icon

TSM5ND50CP

TSM5ND50 500V N-Channel Power MOSFET TO-251 TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.5 @ VGS =10V 2.2 General Description The TSM5ND50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state res

 9.1. Size:364K  taiwansemi
 tsm5nb50cz.pdf pdf_icon

TSM5ND50CP

TSM5NB50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.5 @ VGS =10V 4.4 General Description The TSM5NB50 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Другие MOSFET... TSM4NB60CH , TSM4NB60CI , TSM4NB60CP , TSM4NB60CZ , TSM4ND50CP , TSM55N03CP , TSM5NB50CZ , TSM5ND50CH , MMD60R360PRH , TSM60N03CP , TSM60N06CP , TSM6866DCA , TSM6866SDCA , TSM6963SDCA , TSM6968DCA , TSM6968SDCA , TSM6981DCA .

History: FDMS8050ET30 | WFD4N60B | P1060ATF | NTB30N06L | SWX170R15ET | G90N04 | NTMFS1D7N03CGT1G

 

 
Back to Top

 


 
.