TSM6N50CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSM6N50CP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 85 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-252
TSM6N50CP Datasheet (PDF)
..1. Size:374K taiwansemi
tsm6n50ch tsm6n50ci tsm6n50cp.pdf
tsm6n50ch tsm6n50ci tsm6n50cp.pdf
TSM6N50 500V N-Channel Power MOSFET ITO-220 TO-252 TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (DPAK) (IPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.4 @ VGS =10V 2.8 General Description The TSM6N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-s
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
