Справочник MOSFET. TSM6N50CP

 

TSM6N50CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM6N50CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для TSM6N50CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM6N50CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  taiwansemi
 tsm6n50ch tsm6n50ci tsm6n50cp.pdf pdf_icon

TSM6N50CP

TSM6N50 500V N-Channel Power MOSFET ITO-220 TO-252 TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (DPAK) (IPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.4 @ VGS =10V 2.8 General Description The TSM6N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-s

Другие MOSFET... TSM6866SDCA , TSM6963SDCA , TSM6968DCA , TSM6968SDCA , TSM6981DCA , TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , 20N60 , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI .

History: APT22F80B | IPP60R385CP | TPCL4202 | STF15NM65N | APT58M50JCU3 | VS4802GPHT | LP3443LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.