Справочник MOSFET. TSM75N03CP

 

TSM75N03CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM75N03CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM75N03CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  taiwansemi
 tsm75n03cp.pdf pdf_icon

TSM75N03CP

 8.1. Size:62K  taiwansemi
 tsm75n75cz.pdf pdf_icon

TSM75N03CP

TSM75N75 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 11 @ VGS =10V 75 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 11m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AUIRF7805Q | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.