BUK114-50L-S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK114-50L-S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-426
Аналог (замена) для BUK114-50L-S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK114-50L-S даташит
buk114-50l-s.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK114-50L/S SMD version of BUK104-50L/S DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in a 5 pin surface VDS Continuous drain source voltage 50 V mounting plastic envelope, intended ID Continuous drain current 15 A as a general purpose
buk114-50l-s 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK114-50L/S SMD version of BUK104-50L/S DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in a 5 pin surface VDS Continuous drain source voltage 50 V mounting plastic envelope, intended ID Continuous drain current 15 A as a general purpose
buk110-50gl 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK110-50GL Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in a 3 pin plastic surface VDS Continuous drain source voltage 50 V mount envelope, intended as a ID Continuous drain current 45 A general purpose switch for P
buk118-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK118-50DL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin plastic ID Continuous drain current 16 A package. PD Total power dissipation 65 W Tj Continuous
Другие MOSFET... TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , AO4407 , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL , BUK1M200-50SGTD , BUK452-100B .
History: MTM8N60 | 2SJ604-Z | AGMH056N08C
History: MTM8N60 | 2SJ604-Z | AGMH056N08C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667











