Справочник MOSFET. BUK455-200B

 

BUK455-200B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK455-200B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK455-200B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 buk455-200b.pdf pdf_icon

BUK455-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK455 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A(SMPS),

 4.1. Size:54K  philips
 buk455-200a-b 1.pdf pdf_icon

BUK455-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK455 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A(SMPS),

 4.2. Size:228K  inchange semiconductor
 buk455-200.pdf pdf_icon

BUK455-200B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK455-200A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:54K  philips
 buk455-100a-b 1.pdf pdf_icon

BUK455-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK455 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 26 23 A(SMPS),

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1015 | STB18NF25 | AO6414 | NTMD6P02R2 | SLW18N50C | S-LBSS8402DW1T1G | IPA057N06N3

 

 
Back to Top

 


 
.