Справочник MOSFET. BUK951R6-30E

 

BUK951R6-30E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK951R6-30E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 349 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 127 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUK951R6-30E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK951R6-30E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  nxp
buk951r6-30e.pdfpdf_icon

BUK951R6-30E

BUK951R6-30EN-channel TrenchMOS logic level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive

 8.1. Size:68K  philips
buk95180-100a buk96180-100a.pdfpdf_icon

BUK951R6-30E

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK95180-100A Logic level FET BUK96180-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 11 Atrench tec

 8.2. Size:102K  philips
buk9516-55a buk9616-55a buk9516.pdfpdf_icon

BUK951R6-30E

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9516-55A Logic level FET BUK9616-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 66 Atrench technolo

 8.3. Size:71K  philips
buk95150-55a buk96150-55a buk96150-55a.pdfpdf_icon

BUK951R6-30E

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK95150-55A Logic level FET BUK96150-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 13 Atrench techno

Другие MOSFET... BUK7Y8R7-60E , BUK7Y98-80E , BUK7Y9R9-80E , BUK9506-55A , BUK9508-55A , BUK9509-55A , BUK9515-60E , BUK9516 , IRF1405 , BUK9528-55A , BUK952R3-40E , BUK952R8-60E , BUK953R2-40E , BUK953R5-60E , BUK9540-100A , BUK954R4-80E , BUK954R8-60E .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.