Справочник MOSFET. BUZ100SL-4

 

BUZ100SL-4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ100SL-4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: P-DSO-28
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ100SL-4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  siemens
buz100sl-4.pdfpdf_icon

BUZ100SL-4

BUZ 100SL-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100SL-4 55 V 7.4 A 0.023 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 7.4Pulsed drain current

 6.1. Size:105K  infineon
buz100sl.pdfpdf_icon

BUZ100SL-4

BUZ 100SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.012RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100SL P-TO220-3-1

 7.1. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ100SL-4

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 7.2. Size:107K  infineon
buz100s.pdfpdf_icon

BUZ100SL-4

BUZ 100SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.015RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 77 AID Avalanche rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100S P-TO220-3-1 Q67040-S4001-A2 Tub

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SLC500MM15SHN2 | SIHFR210 | R6524KNX | IRC330 | NCEP025N12LL | BUZ40B | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.