BUZ10S2 - описание и поиск аналогов

 

BUZ10S2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ10S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ10S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ10S2 технические параметры

 ..1. Size:127K  siemens
buz10s2.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 10 S2 Not for new design SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 10 S2 60 V 23 A 0.07 TO-220 AB C67078-S1300-A7 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 26 C 23 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 92 Avalanche curre

 9.1. Size:270K  st
buz10a.pdfpdf_icon

BUZ10S2

 9.2. Size:286K  st
buz10.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ10 N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220 STripFET MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ10 50 V

 9.3. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

Другие MOSFET... BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 , BUZ103SL , BUZ104 , BUZ104L , BUZ104S , BUZ10L , IRF730 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 , BUZ201 .

 

 
Back to Top

 


 
.