Справочник MOSFET. BUZ10S2

 

BUZ10S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ10S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ10S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ10S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  siemens
buz10s2.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 10 S2Not for new designSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 10 S2 60 V 23 A 0.07 TO-220 AB C67078-S1300-A7Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 26 C 23Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 92Avalanche curre

 9.1. Size:270K  st
buz10a.pdfpdf_icon

BUZ10S2

 9.2. Size:286K  st
buz10.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ10N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220STripFET MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ10 50 V

 9.3. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

Другие MOSFET... BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 , BUZ103SL , BUZ104 , BUZ104L , BUZ104S , BUZ10L , BS170 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 , BUZ201 .

History: APT6013LFLL | KI8810DS | SFW9644 | RJK0214DPA | NCE0140K2 | SML5022BN | BRI3N80

 

 
Back to Top

 


 
.