BUZ10S2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUZ10S2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BUZ10S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ10S2 даташит

 ..1. Size:127K  siemens
buz10s2.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 10 S2 Not for new design SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 10 S2 60 V 23 A 0.07 TO-220 AB C67078-S1300-A7 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 26 C 23 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 92 Avalanche curre

 9.1. Size:270K  st
buz10a.pdfpdf_icon

BUZ10S2

 9.2. Size:286K  st
buz10.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ10 N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220 STripFET MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ10 50 V

 9.3. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ10S2

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

Другие IGBT... BUZ102SL-4, BUZ103, BUZ103S-4, BUZ103SL, BUZ104, BUZ104L, BUZ104S, BUZ10L, AOD4184A, BUZ110S, BUZ111S, BUZ111SL, BUZ11AL, BUZ12, BUZ12A, BUZ171, BUZ201