CCS5Y3315CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CCS5Y3315CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CCS5Y3315CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CCS5Y3315CM даташит

 ..1. Size:125K  china
 ccs5y3315cm.pdf pdf_icon

CCS5Y3315CM

CCS5Y3315CM N PD TC=25 75 W 0.6 W/ ID VGS=10V,TC=25 18 A ID VGS=10V,TC=100 12 A IDM 72 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 150 V RDS on VGS=10V,ID=12A 0.08

Другие IGBT... BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, AON7403, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP