CHM02N7PAGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CHM02N7PAGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.6 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для CHM02N7PAGP
CHM02N7PAGP Datasheet (PDF)
chm02n7pagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe
chm02n7ngp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(
chm02n6gpagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High pow
chm02n6angp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 1.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160
Другие MOSFET... CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , IRF730 , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , CHM09N7NGP , CHM1012LPAGP .
History: FQD10N20C | IXFT40N50Q
History: FQD10N20C | IXFT40N50Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo