Справочник MOSFET. CHM1012TGP

 

CHM1012TGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM1012TGP
   Маркировка: X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416

 Аналог (замена) для CHM1012TGP

 

 

CHM1012TGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  chenmko
 chm1012tgp.pdf

CHM1012TGP CHM1012TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1012TGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.65 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-75/SOT-416FEATURE* Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing den

 7.1. Size:107K  chenmko
 chm1012lpagp.pdf

CHM1012TGP CHM1012TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1012LPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 120 Volts CURRENT 10 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe

 7.2. Size:59K  chenmko
 chm1012pagp.pdf

CHM1012TGP CHM1012TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1012PA SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 120 Volts CURRENT 10 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 8.1. Size:443K  chenmko
 chm1013tgp.pdf

CHM1012TGP CHM1012TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1013TGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.45 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-75/SOT-416FEATURE* Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing den

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top