NDH8304P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NDH8304P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NDH8304P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NDH8304P даташит
No data!
Другие IGBT... NDC632P, NDC651N, NDC652P, NDC7002N, NDC7003P, NDH8301N, NDH8302P, NDH8303N, IRFB4115, NDH831N, NDH832P, NDH833N, NDH834P, NDH8502P, NDH8503N, NDH8504P, NDP4050
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: DH065N04I | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111
