NDH831N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDH831N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDH831N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDH831N даташит

No data!

Другие IGBT... NDC651N, NDC652P, NDC7002N, NDC7003P, NDH8301N, NDH8302P, NDH8303N, NDH8304P, IRFB4227, NDH832P, NDH833N, NDH834P, NDH8502P, NDH8503N, NDH8504P, NDP4050, NDP4050L