Справочник MOSFET. CHM2308ESGP

 

CHM2308ESGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM2308ESGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 0.87 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT-346

 Аналог (замена) для CHM2308ESGP

 

 

CHM2308ESGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  chenmko
 chm2308esgp.pdf

CHM2308ESGP CHM2308ESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2308ESGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High s

 8.1. Size:219K  chenmko
 chm2304gp.pdf

CHM2308ESGP CHM2308ESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2304GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 2.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

 8.2. Size:132K  chenmko
 chm2301esgp.pdf

CHM2308ESGP CHM2308ESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2301ESGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.8 AmpereAPPLICATION* Po rtable* High speed switchFEATURESOT-23* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON)* Suitable for high packing density.* Rugged and reliable.(1)* High saturation current capabili

 8.3. Size:85K  chenmko
 chm2307gp.pdf

CHM2308ESGP CHM2308ESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2307GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

 8.4. Size:97K  chenmko
 chm2305gp.pdf

CHM2308ESGP CHM2308ESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2305GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High satur

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top