Справочник MOSFET. CHM3032JGP

 

CHM3032JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM3032JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 905 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM3032JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  chenmko
chm3032jgp.pdfpdf_icon

CHM3032JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3032JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High satura

 9.1. Size:196K  chenmko
chm3060jgp.pdfpdf_icon

CHM3032JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3060JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 14 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High satu

 9.2. Size:103K  chenmko
chm3055zgp.pdfpdf_icon

CHM3032JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3055ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small package. (SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.

 9.3. Size:533K  chenmko
chm3082jgp.pdfpdf_icon

CHM3032JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3082JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 12 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High satu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SIHB30N60E

 

 
Back to Top

 


 
.