CHM3082JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CHM3082JGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CHM3082JGP Datasheet (PDF)
chm3082jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3082JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 12 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High satu
chm3083jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3083JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 13 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm3060jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3060JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 14 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High satu
chm3055zgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3055ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small package. (SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SVF4N150PF | BUZ353 | AP2306AGEN-HF | AON7140 | SI7478DP-T1 | 2SJ244 | STB200N6F3
History: SVF4N150PF | BUZ353 | AP2306AGEN-HF | AON7140 | SI7478DP-T1 | 2SJ244 | STB200N6F3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627