CHM3120PAGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CHM3120PAGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CHM3120PAGP Datasheet (PDF)
chm3120pagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3120PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 36 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power
chm3120jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3120JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 10 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm3128jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3128JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and
chm310gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM310GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 170 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.* High saturation current capability. (1)(3)CO
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPB80N04S2L-03 | 12N65KL-TF1-T | BRCS120N03YB | AUIRF1324L | PM560BZ | 2SK3504-01 | SSW50R100S
History: IPB80N04S2L-03 | 12N65KL-TF1-T | BRCS120N03YB | AUIRF1324L | PM560BZ | 2SK3504-01 | SSW50R100S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent