CHM3172JGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CHM3172JGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для CHM3172JGP
CHM3172JGP Datasheet (PDF)
chm3172jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3172JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High sat
chm3178jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3178JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm310gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM310GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 170 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.* High saturation current capability. (1)(3)CO
chm3128jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3128JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and
Другие MOSFET... CHM3060JGP , CHM3082JGP , CHM3083JGP , CHM30N15LNGP , CHM310GP , CHM3120JGP , CHM3120PAGP , CHM3128JGP , IRFB31N20D , CHM3178JGP , CHM3203CMGP , CHM3252JGP , CHM3252PAGP , CHM3252ZGP , CHM3258JGP , CHM3301JGP , CHM3301PAGP .
History: RU16P8M4 | OSG80R900FF
History: RU16P8M4 | OSG80R900FF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet