Справочник MOSFET. CHM3203CMGP

 

CHM3203CMGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM3203CMGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT-346

 Аналог (замена) для CHM3203CMGP

 

 

CHM3203CMGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  chenmko
chm3203cmgp.pdf

CHM3203CMGP CHM3203CMGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3203CMGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59/SOT-346 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)

 9.1. Size:112K  chenmko
chm3252pagp.pdf

CHM3203CMGP CHM3203CMGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 9.2. Size:168K  chenmko
chm3258jgp.pdf

CHM3203CMGP CHM3203CMGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3258JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

 9.3. Size:95K  chenmko
chm3252zgp.pdf

CHM3203CMGP CHM3203CMGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05

 9.4. Size:83K  chenmko
chm3252jgp.pdf

CHM3203CMGP CHM3203CMGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top