CHM3252PAGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CHM3252PAGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для CHM3252PAGP
CHM3252PAGP Datasheet (PDF)
chm3252pagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power
chm3252zgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05
chm3252jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3252JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm3258jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3258JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and
Другие MOSFET... CHM310GP , CHM3120JGP , CHM3120PAGP , CHM3128JGP , CHM3172JGP , CHM3178JGP , CHM3203CMGP , CHM3252JGP , IRF730 , CHM3252ZGP , CHM3258JGP , CHM3301JGP , CHM3301PAGP , CHM3413KGP , CHM3413SGP , CHM3458QGP , CHM3545SGP .
History: IPB04CN10NG | 3N80G-TF3-T | P1850EF | BRCS120P012MC | DMN67D8LW | IRFI9Z24G | BRCS120N06SYM
History: IPB04CN10NG | 3N80G-TF3-T | P1850EF | BRCS120P012MC | DMN67D8LW | IRFI9Z24G | BRCS120N06SYM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04