CHM50N06NGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHM50N06NGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для CHM50N06NGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM50N06NGP даташит

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm50n06ngp.pdf pdf_icon

CHM50N06NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM50N06NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 50 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 6.1. Size:97K  chenmko
 chm50n06pagp.pdf pdf_icon

CHM50N06NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM50N06PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 36 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Другие IGBT... CHM4804JGP, CHM4808JGP, CHM4892JGP, CHM4936JGP, CHM4946JGP, CHM4948JGP, CHM4953JGP, CHM4955JGP, 4435, CHM50N06PAGP, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, CHM5506JGP, CHM5813ESQ2GP, CHM5P03PAGP