Справочник MOSFET. CHM50N06NGP

 

CHM50N06NGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM50N06NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CHM50N06NGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM50N06NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm50n06ngp.pdf pdf_icon

CHM50N06NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM50N06NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 50 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 6.1. Size:97K  chenmko
 chm50n06pagp.pdf pdf_icon

CHM50N06NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM50N06PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 36 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... CHM4804JGP , CHM4808JGP , CHM4892JGP , CHM4936JGP , CHM4946JGP , CHM4948JGP , CHM4953JGP , CHM4955JGP , 2SK3568 , CHM50N06PAGP , CHM51A3PAGP , CHM51A3ZGP , CHM540ANGP , CHM540APAGP , CHM5506JGP , CHM5813ESQ2GP , CHM5P03PAGP .

History: IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA | AP2864I-A-HF | PH1330AL

 

 
Back to Top

 


 
.