Справочник MOSFET. CHM640NGP

 

CHM640NGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM640NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для CHM640NGP

 

 

CHM640NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  chenmko
 chm640ngp.pdf

CHM640NGP CHM640NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM640NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 200 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.0

 9.1. Size:108K  chenmko
 chm6426pagp.pdf

CHM640NGP CHM640NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).087

 9.2. Size:73K  chenmko
 chm6426xgp.pdf

CHM640NGP CHM640NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426XGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-62/SOT-89FEATURE* Small package. (SC-62/SOT-89 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.6MAX. 1.6MAX.* Rugged and reliable.

 9.3. Size:90K  chenmko
 chm6426jgp.pdf

CHM640NGP CHM640NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High sat

 9.4. Size:166K  chenmko
 chm6428jgp.pdf

CHM640NGP CHM640NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6428JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged an

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top