CHM640NGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CHM640NGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 355 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
CHM640NGP Datasheet (PDF)
chm640ngp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM640NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 200 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.0
chm6426pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).087
chm6426xgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426XGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-62/SOT-89FEATURE* Small package. (SC-62/SOT-89 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.6MAX. 1.6MAX.* Rugged and reliable.
chm6426jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6426JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High sat
chm6428jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6428JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged an
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
