Справочник MOSFET. CHM8030LANGP

 

CHM8030LANGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM8030LANGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для CHM8030LANGP

 

 

CHM8030LANGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm8030langp.pdf

CHM8030LANGP CHM8030LANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8030LANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 75 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

 9.1. Size:112K  chenmko
 chm80n75ngp.pdf

CHM8030LANGP CHM8030LANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM80N75NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 75 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top