Справочник MOSFET. CHM830GPAGP

 

CHM830GPAGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM830GPAGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для CHM830GPAGP

 

 

CHM830GPAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  chenmko
 chm830gpagp.pdf

CHM830GPAGP CHM830GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM830GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 500 Volts CURRENT 4.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10)* High power a

 9.1. Size:107K  chenmko
 chm83a3ngp.pdf

CHM830GPAGP CHM830GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM83A3NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 100 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4

 9.2. Size:211K  chenmko
 chm8311jgp.pdf

CHM830GPAGP CHM830GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8311JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

 9.3. Size:117K  chenmko
 chm83a3pagp.pdf

CHM830GPAGP CHM830GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM83A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top