CHM85A3PAGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM85A3PAGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CHM85A3PAGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM85A3PAGP даташит

 ..1. Size:91K  chenmko
 chm85a3pagp.pdf pdf_icon

CHM85A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM85A3PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 80 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

 9.1. Size:92K  chenmko
 chm8531jgp.pdf pdf_icon

CHM85A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM8531JGP SURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High

Другие IGBT... CHM8311JGP, CHM83A3NGP, CHM83A3PAGP, CHM8401JGP, CHM8410JGP, CHM8433JGP, CHM8435AJGP, CHM8531JGP, IRF1404, CHM8809JGP, CHM8811JGP, CHM8912JGP, CHM8933AJGP, CHM8938JGP, CHM8958JGP, CHM8968JGP, CHM9407AJGP