Справочник MOSFET. CHM85A3PAGP

 

CHM85A3PAGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM85A3PAGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CHM85A3PAGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM85A3PAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  chenmko
 chm85a3pagp.pdf pdf_icon

CHM85A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM85A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 9.1. Size:92K  chenmko
 chm8531jgp.pdf pdf_icon

CHM85A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8531JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

Другие MOSFET... CHM8311JGP , CHM83A3NGP , CHM83A3PAGP , CHM8401JGP , CHM8410JGP , CHM8433JGP , CHM8435AJGP , CHM8531JGP , IRF1404 , CHM8809JGP , CHM8811JGP , CHM8912JGP , CHM8933AJGP , CHM8938JGP , CHM8958JGP , CHM8968JGP , CHM9407AJGP .

History: AOH3106 | SWT69N65K2F | STD30PF03L-1 | SI8499DB | 2SJ285 | APT60M75L2LL

 

 
Back to Top

 


 
.