Справочник MOSFET. CHM8958JGP

 

CHM8958JGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM8958JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CHM8958JGP

 

 

CHM8958JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  chenmko
 chm8958jgp.pdf

CHM8958JGP CHM8958JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8958JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

 9.1. Size:92K  chenmko
 chm8933ajgp.pdf

CHM8958JGP CHM8958JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8933AJGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

 9.2. Size:91K  chenmko
 chm8912jgp.pdf

CHM8958JGP CHM8958JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8912JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

 9.3. Size:110K  chenmko
 chm8938jgp.pdf

CHM8958JGP CHM8958JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8938JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS

 9.4. Size:110K  chenmko
 chm8968jgp.pdf

CHM8958JGP CHM8958JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8968JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top