CHM9424JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CHM9424JGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CHM9424JGP Datasheet (PDF)
chm9424jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9424JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 7.7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and rel
chm9435azgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435AZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SO-8 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.0+0
chm9435gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23)* Advanced trench process technology * High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance (1)(
chm9410jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9410JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and relia
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFU3410PBF | LNG04R120 | BRCS100N06BD | IXFQ24N60X | BRF2N60 | TPC65R260M | 2SK417
History: IRFU3410PBF | LNG04R120 | BRCS100N06BD | IXFQ24N60X | BRF2N60 | TPC65R260M | 2SK417



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050