Справочник MOSFET. CHM9435AJGP

 

CHM9435AJGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM9435AJGP
   Маркировка: 9435A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CHM9435AJGP

 

 

CHM9435AJGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  chenmko
 chm9435ajgp.pdf

CHM9435AJGP CHM9435AJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435AJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and re

 6.1. Size:110K  chenmko
 chm9435azgp.pdf

CHM9435AJGP CHM9435AJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435AZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SO-8 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.0+0

 7.1. Size:338K  chenmko
 chm9435gp.pdf

CHM9435AJGP CHM9435AJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23)* Advanced trench process technology * High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance (1)(

 8.1. Size:102K  chenmko
 chm9436ajgp.pdf

CHM9435AJGP CHM9435AJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9436AJGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and re

 8.2. Size:91K  chenmko
 chm9433jgp.pdf

CHM9435AJGP CHM9435AJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9433JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top