Справочник MOSFET. CHT2301GP

 

CHT2301GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHT2301GP
   Маркировка: *01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для CHT2301GP

 

 

CHT2301GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  chenmko
 cht2301gp.pdf

CHT2301GP CHT2301GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2301GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged

 7.1. Size:218K  chenmko
 cht2301wgp.pdf

CHT2301GP CHT2301GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2301WGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-70/SOT-323FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing dens

 8.1. Size:216K  chenmko
 cht2302wgp.pdf

CHT2301GP CHT2301GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2302WGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-70/SOT-323FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing dens

 8.2. Size:214K  chenmko
 cht2303gp.pdf

CHT2301GP CHT2301GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2303GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

 8.3. Size:272K  chenmko
 cht2302gp.pdf

CHT2301GP CHT2301GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2302GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top