CMLDM7003JE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMLDM7003JE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

Аналог (замена) для CMLDM7003JE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMLDM7003JE даташит

 ..1. Size:521K  central
 cmldm7003e cmldm7003je.pdf pdf_icon

CMLDM7003JE

CMLDM7003E CMLDM7003JE ENHANCED SPECIFICATION www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION DUAL N-CHANNEL The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003E ENHANCEMENT-MODE and CMLDM7003JE are Enhancement-mode SILICON MOSFET N-Channel Field Effect Transistors, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. The CMLDM7003E uti

 4.1. Size:518K  central
 cmldm7003 cmldm7003 cmldm7003j.pdf pdf_icon

CMLDM7003JE

CMLDM7003 CMLDM7003G* CMLDM7003J www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION DUAL N-CHANNEL These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices ENHANCEMENT-MODE are dual Enhancement-mode N-Channel Field Effect SILICON MOSFET Transistors, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. The CMLDM7003 utilizes the USA pinout confi

 5.1. Size:713K  central
 cmldm7003t.pdf pdf_icon

CMLDM7003JE

CMLDM7003TG SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE MOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003TG is a dual N-Channel enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This device offers low rDS(ON), low VGS(th), and ESD protection up to 2kV. MARKIN

 6.1. Size:665K  central
 cmldm7005.pdf pdf_icon

CMLDM7003JE

CMLDM7005 CMLDM7005R www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are SILICON MOSFET dual N-Channel enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer very low rDS(ON) and low threshold voltage. The CMLDM7005R utilizes a reverse pinout confi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CMLDM3737, CMLDM3757, CMLDM5757, CMLDM7002A, CMLDM7002AJ, CMLDM7003, CMLDM7003E, CMLDM7003J, 18N50, CMLDM7003TG, CMLDM7005, CMLDM7120G, CMLDM7120T, CMLDM7484, CMLDM7585, CMLDM8002A, CMLDM8002AG