CMLM0708A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CMLM0708A
Маркировка: C78
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CMLM0708A Datasheet (PDF)
cmlm0708a.pdf

CMLM0708AMULTI DISCRETE MODULEwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:N-CHANNEL AND P-CHANNELThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0708A is a COMPLEMENTARY MOSFETSMulti Discrete Module consisting of complementaryN-Channel and P-Channel Enhancement-mode MOSFETS packaged in a space saving PICOmini SOT-563 case. This device is designed for small signal general purpose
cmlm0574.pdf

CMLM0574Multi Discrete Modulewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:N-CHANNEL MOSFET ANDThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0574 is aLOW VF SCHOTTKY DIODEMulti Discrete Module consisting of a single N-Channelenhancement-mode MOSFET and a low VF Schottky diode packaged in a space saving SOT-563 surface mount case. This device is designed for small signalgener
cmlm0575.pdf

CMLM0575Multi Discrete Modulewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:N-CHANNEL MOSFET ANDThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0575 is aLOW VF SCHOTTKY DIODEMulti Discrete Module consisting of a single N-Channelenhancement-mode MOSFET and a low VF Schottky diode packaged in a space saving SOT-563 surface mount case. This device is designed for small signalgener
cmlm0305.pdf

CMLM0305CMLM0305G*Multi Discrete Modulewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:N-CHANNEL MOSFET AND The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0305 and LOW VF SCHOTTKY DIODECMLM0305G are Multi Discrete Modules consisting of a single N-Channel enhancement-mode MOSFET and a low VF Schottky diode packaged in a space saving SOT-563 surface mount case. This device is d
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IRLR8726PBF
History: IRLR8726PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718