CMLM8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CMLM8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CMLM8205 Datasheet (PDF)
cmlm8205.pdf

CMLM8205Multi Discrete Modulewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:P-CHANNEL MOSFET ANDThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM8205 is a LOW VF SCHOTTKY DIODEMulti Discrete Module consisting of a single P-Channel enhancement-mode MOSFET and a low VF Schottky diode packaged in a space saving SOT-563 surface mount case. This device is designed for small signal ge
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WML15N50D1B | JCS5N50CT | STU448S | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005
History: WML15N50D1B | JCS5N50CT | STU448S | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor