Справочник MOSFET. CS10N80FA9D

 

CS10N80FA9D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS10N80FA9D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS10N80FA9D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS10N80FA9D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  wuxi china
 cs10n80fa9d.pdf pdf_icon

CS10N80FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10N80F A9D General Description VDSS 800 V CS10N80F A9D, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD(TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.72 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.1. Size:953K  jilin sino
 jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdf pdf_icon

CS10N80FA9D

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS RdsonVgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 6.2. Size:1202K  jilin sino
 jcs10n80f.pdf pdf_icon

CS10N80FA9D

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS RdsonVgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 6.3. Size:546K  crhj
 cs10n80f a9d.pdf pdf_icon

CS10N80FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10N80F A9D General Description VDSS 800 V CS10N80F A9D, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD(TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.72 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , 20N50 , CS110N03A3 , CS1119 , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 .

History: HTJ600N06 | PSMN5R0-100PS | VBE1638 | AUIRFSL8403 | MMQ60R115PTH | AP99T03GP

 

 
Back to Top

 


 
.