CS13N15D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS13N15D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS13N15D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS13N15D даташит

 ..1. Size:111K  china
 cs13n15d.pdf pdf_icon

CS13N15D

LJ2015-50 CS13N15D N T =25 72 C P W D T =25 1.2 A 0.57 W/ I V =10V,T =25 14 A D GS C I V =10V,T =100 9.8 A D GS C I 56 A DM V 30 V GS T +150 jm T -55 +150 stg R 1.7

 9.1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

CS13N15D

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 9.2. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

CS13N15D

 9.3. Size:1016K  jilin sino
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

CS13N15D

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS12N60A8H, CS12N60A8HD, CS12N60F, CS12N60FA9H, CS12N60FA9HD, CS12N65A8H, CS12N65FA9H, CS138, STF13NM60N, CS13N50A8H, CS13N50FA9H, CS1405, CS140N10A, CS150, CS150N03A8, CS150N04A8, CS15N60