CS15N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS15N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-254

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS15N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS15N60 даташит

 ..1. Size:125K  china
cs15n60.pdfpdf_icon

CS15N60

CS15N60 N PD TC=25 280 W 2.3 W/ ID VGS=10V,TC=25 15 A ID VGS=10V,TC=100 9.7 A IDM 60 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.44 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=9A 0.46

 0.1. Size:2166K  jilin sino
jcs15n60ch jcs15n60fh jcs15n60bh jcs15n60sh.pdfpdf_icon

CS15N60

N R N-CHANNEL MOSFET JCS15N60H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15 A VDSS 600 V 0.52 (MAX) Rdson-max Vgs=10V 0.45 (TYP) Qg 35.7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based o

 8.1. Size:1723K  jilin sino
jcs15n65fei jcs15n65bei jcs15n65sei jcs15n65cei.pdfpdf_icon

CS15N60

N R N-CHANNEL MOSFET JCS15N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15A VDSS 650V Rdson-max 0.52 Vgs=10V Qg-Typ 52.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 8.2. Size:1109K  jilin sino
jcs15n65fh.pdfpdf_icon

CS15N60

N R N-CHANNEL MOSFET JCS15N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 15.0 A VDSS 650 V Rdson-Max 0.55 @Vgs=10V Qg-Typ 35.2 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие IGBT... CS13N15D, CS13N50A8H, CS13N50FA9H, CS1405, CS140N10A, CS150, CS150N03A8, CS150N04A8, 2N60, CS16N60A8H, CS19N40A8H, CS19N40AN, CS1N50A1, CS1N60A1H, CS1N60A3H, CS1N60B1R, CS1N60B3R