CS2110K1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2110K1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для CS2110K1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2110K1 даташит

 ..1. Size:108K  china
 cs2110k1.pdf pdf_icon

CS2110K1

CS2110K1 N PD TA=25 0.36 W ID VGS=10V,TA=25 0.2 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 200 /W BVDSS VGS=0V,ID=1mA 100 V VGS=5V,ID=0.075A 4.5 6.0 RDS on VGS=10V,ID=0.05A 3.0 4.0 VGS th VDS=VGS,ID=1mA 0.8 2

Другие IGBT... CS20N50A8H, CS20N50ANH, CS20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, CS20N65FA9H, CS20N90ANRD, IRF640, CS220N03MD, CS220N04A8H, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250