Справочник MOSFET. CS2308

 

CS2308 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.1 0.2
 

 Аналог (замена) для CS2308

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  china
cs2308.pdfpdf_icon

CS2308

CS2308N PD TC=25 1.66 WID VGS=10V,TC=25 2.3 AIDM 10 AVGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 90 115 /WRthJA 60 75 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=10V,ID=5A 0.15RDS on VGS=4.5V,ID=5A 0.20VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 9.1. Size:983K  mcc
mcs2305b.pdfpdf_icon

CS2308

MCS2305BFeatures Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1P-Channel Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSMOSFETCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature

 9.2. Size:300K  can-sheng
cs2301 sot-23.pdfpdf_icon

CS2308

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2301 MOSFET(P-Channel) FEATURES renchFET Power MOSFET TMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 VID Drain current -3 A PD Powe

 9.3. Size:213K  can-sheng
cs2300 sot-23.pdfpdf_icon

CS2308

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2300 MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.9 A PD Power

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.