Справочник MOSFET. CS2N60FA9H

 

CS2N60FA9H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2N60FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS2N60FA9H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N60FA9H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  wuxi china
cs2n60fa9h.pdfpdf_icon

CS2N60FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N60F A9H General Description VDSS 600 V CS2N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 24 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:1813K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

CS2N60FA9H

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 7.2. Size:1742K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

CS2N60FA9H

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

 7.3. Size:924K  jilin sino
jcs2n60vb jcs2n60rb jcs2n60cb jcs2n60fb jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdfpdf_icon

CS2N60FA9H

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V RdsonVgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.