CS2N60FA9H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N60FA9H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS2N60FA9H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N60FA9H даташит

 ..1. Size:225K  wuxi china
 cs2n60fa9h.pdf pdf_icon

CS2N60FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N60F A9H General Description VDSS 600 V CS2N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 24 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:1813K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

CS2N60FA9H

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 7.2. Size:1742K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

CS2N60FA9H

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

 7.3. Size:924K  jilin sino
 jcs2n60vb jcs2n60rb jcs2n60cb jcs2n60fb jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdf pdf_icon

CS2N60FA9H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS2807, CS2837AND, CS2907Z, CS2N50A4, CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H, IRF9540, CS2N60I, CS2N65A3, CS2N65A3HY, CS2N65A4HY, CS2N65FA9HY, CS2N70A3R, CS2N70A4, CS2N70A6