CS2N65A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N65A3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CS2N65A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N65A3 даташит

 ..1. Size:235K  wuxi china
 cs2n65a3.pdf pdf_icon

CS2N65A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A3 General Description VDSS 650 V CS2N65 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

 0.1. Size:242K  wuxi china
 cs2n65a3hy.pdf pdf_icon

CS2N65A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A3HY General Description VDSS 650 V CS2N65 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:857K  blue-rocket-elect
 brcs2n65aa.pdf pdf_icon

CS2N65A3

BRCS2N65AA Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

 7.2. Size:236K  wuxi china
 cs2n65a4.pdf pdf_icon

CS2N65A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A4 General Description VDSS 650 V CS2N65 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.9 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS2907Z, CS2N50A4, CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H, CS2N60FA9H, CS2N60I, 2SK3878, CS2N65A3HY, CS2N65A4HY, CS2N65FA9HY, CS2N70A3R, CS2N70A4, CS2N70A6, CS2N70FA9, CS3018W