CS2N65A4HY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N65A4HY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS2N65A4HY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N65A4HY даташит

 ..1. Size:543K  wuxi china
 cs2n65a4hy.pdf pdf_icon

CS2N65A4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A4HY General Description VDSS 650 V CS2N65 A4HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD(TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 6.1. Size:236K  wuxi china
 cs2n65a4.pdf pdf_icon

CS2N65A4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A4 General Description VDSS 650 V CS2N65 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.9 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 7.1. Size:857K  blue-rocket-elect
 brcs2n65aa.pdf pdf_icon

CS2N65A4HY

BRCS2N65AA Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

 7.2. Size:242K  wuxi china
 cs2n65a3hy.pdf pdf_icon

CS2N65A4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65 A3HY General Description VDSS 650 V CS2N65 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H, CS2N60FA9H, CS2N60I, CS2N65A3, CS2N65A3HY, 2N7002, CS2N65FA9HY, CS2N70A3R, CS2N70A4, CS2N70A6, CS2N70FA9, CS3018W, CS30NF06L, CS3100TH