Справочник MOSFET. NDP710A

 

NDP710A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDP710A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NDP710A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP710A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDP710A

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDP7051L , NDP7052 , NDP7052L , NDP7060 , NDP7060L , NDP7061 , NDP7061L , NDP708A , 13N50 , NDS0605 , NDS0610 , NDS332P , NDS351AN , NDS352AP , NDS355AN , NDS356AP , NDS7002A .

History: IRF832FI | NDP605B | WVM15N60

 

 
Back to Top

 


 
.