CS3410B3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3410B3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CS3410B3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3410B3 даташит

 ..1. Size:247K  wuxi china
 cs3410b3.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B3 General Description VDSS 100 V CS3410 B3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 17 A PD (TC=25 ) 80 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:244K  crhj
 cs3410 b4.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B4 General Description VDSS 100 V CS3410 B4, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 17 A PD (TC=25 ) 80 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:232K  crhj
 cs3410 br.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 BR General Description VDSS 100 V CS3410 BR, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 17 A PD (TC=25 ) 80 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.3. Size:247K  crhj
 cs3410 b3.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B3 General Description VDSS 100 V CS3410 B3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 17 A PD (TC=25 ) 80 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS3100TH, CS3103, CS320, CS3205, CS3205A8, CS3205B8, CS3207, CS334, IRFB3607, CS34P10, CS360, CS36P15, CS3710, CS3710B8, CS37N5, CS38N20D, CS38N30AN