Справочник MOSFET. CS3410B3

 

CS3410B3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS3410B3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CS3410B3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3410B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  wuxi china
 cs3410b3.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B3 General Description VDSS 100 V CS3410 B3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 17 A PD (TC=25) 80 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:244K  crhj
 cs3410 b4.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B4 General Description VDSS 100 V CS3410 B4, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 17 A PD (TC=25) 80 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:232K  crhj
 cs3410 br.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 BR General Description VDSS 100 V CS3410 BR, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 17 A PD (TC=25) 80 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.3. Size:247K  crhj
 cs3410 b3.pdf pdf_icon

CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3410 B3 General Description VDSS 100 V CS3410 B3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 17 A PD (TC=25) 80 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.075 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS3100TH , CS3103 , CS320 , CS3205 , CS3205A8 , CS3205B8 , CS3207 , CS334 , AON7506 , CS34P10 , CS360 , CS36P15 , CS3710 , CS3710B8 , CS37N5 , CS38N20D , CS38N30AN .

History: KF5N50FZ | NDT02N40 | SL10N06A

 

 
Back to Top

 


 
.