CS34P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS34P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SMD-1

Аналог (замена) для CS34P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS34P10 даташит

 ..1. Size:59K  china
 cs34p10.pdf pdf_icon

CS34P10

CS34P10 P PD TC=25 3.75 W 1.03 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -33.5 A IDM -134 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.97 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-16.75A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-

Другие IGBT... CS3103, CS320, CS3205, CS3205A8, CS3205B8, CS3207, CS334, CS3410B3, AON6380, CS360, CS36P15, CS3710, CS3710B8, CS37N5, CS38N20D, CS38N30AN, CS3912