CS50N06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS50N06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS50N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS50N06D даташит

 ..1. Size:253K  lzg
 cs50n06d.pdf pdf_icon

CS50N06D

 ..2. Size:499K  convert
 cs50n06f cs50n06p cs50n06u cs50n06d.pdf pdf_icon

CS50N06D

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS50N06F,CS50N06P,CS50N06U,CS50N06D 60V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS50N06F TO-

 0.1. Size:837K  blue-rocket-elect
 brcs50n06dp.pdf pdf_icon

CS50N06D

BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

 7.1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

CS50N06D

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS4N65A3TDY, CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06, IRF540, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530, CS540, CS540A8